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长鑫深度解读系列(三) | 怎么看长鑫上市后的高度和长期趋势？

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当下全球产业迈入AI宏大叙事时代，算力产业链巨头竞相崛起，存储作为AI底层核心硬件，供需格局迎来巨变。作为国内唯一的高端存储芯片产业巨头，长鑫科技科创板上市，不仅将补齐A股存储赛道的关键估值锚点，重塑国产存储全产业链定价逻辑，更将深刻改写全球存储供需格局、加速行业自主可控进程。

为帮助大家全方位、及时、深入读懂这一国产AI硬件王者，我们推出了关于长鑫科技深度研究系列文章，从产业、技术、估值、竞争等多维度完整拆解其核心优势和长期价值。

今天为本系列文章第三篇《怎么看长鑫上市后的高度和长期趋势？》。

长鑫科技上市后，对于中长线投资者更关心的是长鑫到底能走多高以及如何走，而更本质的问题是：一家即将登陆A股的国产DRAM龙头，到底该用什么逻辑给它定价？

如果只看短期，长鑫是“超级景气+稀缺资产+新股”三重叠加；

但如果把时间拉长到三五年，它更像是一场从“无”到“有”、从“国产替代”走向“全球竞争”的长跑。

判断长鑫上市后的高度，不能只盯着首日涨跌，也不能简单拿三星、海力士、美光的市盈率套一遍。

真正决定长鑫长期股价高度的，笔者认为主要看三件事：

全球DRAM景气周期、长鑫自身的技术迭代和产能扩张速度、以及资本市场愿意给国产核心科技资产多少估值溢价。

这三件事我们必须看懂看透，才可能更好把握其上市后的股价运行高度、节奏与趋势规律。

AI重写DRAM底层逻辑，

并提升行业景气周期长度和高度

过去讲存储，第一反应是手机和PC。但AI时代，DRAM的故事已经完全变了。

简单说，GPU负责“算”，HBM负责给GPU喂超高速数据，DDR5等服务器DRAM承担更大规模的数据存储和交换。AI模型越大，训练和推理次数越多，内存容量和带宽的需求就越高。

尤其到了AI推理时代，模型每生成一个Token，都需要大量数据在HBM、服务器DRAM和SSD之间频繁调用。AI带来的不是“多买几条内存”，而是整个服务器存储价值量的系统性提升。

AI训练依赖HBM带宽，AI推理依赖DRAM容量，两者共同决定GPU利用率，也就是说：算力决定上限，存力决定效率，网络互联决定规模。

中泰证券援引行业数据指出，2024年服务器DRAM需求占比约38%，到2026年有望提升至50%—60%。华西证券更激进，预计全球DRAM市场规模可能从2025年的约1505亿美元增长至2030年的5710亿美元，复合增速约30.6%。

这不是普通存储周期了，这是AI基础设施的长期增长逻辑。

更关键的是，AI同时改变了需求和供给两端。三星、海力士、美光正在把更多先进产能转向HBM等高价值产品。HBM产能增加，意味着传统DRAM供给被挤压；同时AI服务器又在快速增加对DDR5的需求。

一边需求暴增，一边供给收缩。所以这轮DRAM涨价的持续性，可能比传统存储周期更强。TrendForce数据显示，2026年二季度一般型DRAM合约价环比涨幅已达58%—63%。

但需要注意的是：长期来看，DRAM最终还是周期行业。巨头重新大规模扩产，或者AI需求低于预期，价格就可能回落。AI改变的是周期的长度和高度，但并没有消灭周期。

全球DRAM格局：

三巨头锁了三十年，长鑫撬开了一条缝

DRAM是极其残酷的行业。技术、资本、产能、良率、客户、规模，缺一个都活不下来。

过去三十年，全球DRAM经过多轮价格战和洗牌，最终形成三星、海力士、美光三巨头垄断的格局。

TrendForce数据显示，2025年三家市场份额分别约为32.6%、33.2%和25.7%，合计超过91%。

而到2026年一季度，长鑫的全球营收份额已经提升至约7.7%，正式成为全球第四大DRAM原厂。过去是“三家独大”，未来行业格局更可能是"三巨头+长鑫"。

但长鑫距离三大巨头仍有明显差距：

三星的优势是规模、工艺、资本和全球客户体系；

元股证券:ygzq.hk

海力士靠HBM吃透了AI存储，已成为英伟达核心供应商，26Q1营业利润率高达72%——比英伟达还高；

美光则在HBM、服务器DRAM和美国本土制造上有重要卡位。

长鑫当前最大的优势，是中国市场+国产替代+IDM一体化+快速追赶。

三巨头拼的是"全球化领先"，长鑫拼的是"国产化突破"。

中国是全球最大的半导体消费市场之一，2024年中国DRAM市场需求约250亿美元，占全球超过四分之一，但过去长期依赖海外。

对长鑫来说，最现实的市场策略不是一上来就抢三星的高端全球客户，而是先把中国市场的国产份额做起来，再逐步向全球渗透。

这条路已经开始走了。

长鑫的底气：

不只是“国产替代”，而是跑通了产业闭环

长鑫最值得研究的地方，是它已不是一家单纯的“国产替代公司”，而是正在从“追赶者”向“竞争者”转变。

附制程对比：目前长鑫量产的主力制程是G4（约16-17nm），三星、海力士、美光已量产10-12nm制程的DRAM产品，长鑫落后国际原厂1-2代：

不过长鑫科技正处于国产替代、AI算力扩张与存储周期上行三重共振期。公司已构建DDR、LPDDR完整产品矩阵并布局HBM，凭借IDM模式、跳代研发和产能扩张优势，有望实现成本下降、产品升级与盈利改善。

随着头部客户导入、产能持续爬坡和高端产品放量，长鑫有望迎来市场份额、营收与利润同步提升。其中：

产品上，从2019年自研8GbDDR4实现“从0到1”突破，到DDR5、LPDDR5/5X陆续量产，产品覆盖手机、PC、服务器等多个市场。LPDDR系列是主力，2025年收入占比约66%；DDR系列随DDR5放量，占比从13%升到32%。客户优质包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、OPPO、vivo、传音、荣耀等核心终端。

技术上，长鑫选择IDM模式——研发、设计、制造、销售一体化。这跟三巨头一样，因为DRAM真

正的竞争力来自设计、工艺和制造的同步迭代。长鑫还采取了“跳代研发”策略，不跟在巨头后面一代一代磨，而是尽量缩短追赶路径。目前第四代工艺

技术平台已达国际先进水平，HBM3样件已出，规划2027年实现12层HBM3E量产。

研发上，2023至2025年累计研发投入206.05亿元，2025年研发投入95.93亿元——比中芯国际同期还高40多亿。2025年上半年研发费用率23.71%，同期行业平均10.37%，这不是过度投资，是追赶者的必然选择。

产能上，合肥、北京两地3座12英寸晶圆厂，月产能约30万片，募投落地后2028年扩至50万片。上海新厂2027年投产，据报道新增产能可达合肥总部基地的2-3倍。

SemiAnalysis预计，长鑫2027年底产能约42万片/月，约占全球产能17%。HBM月产能也可能从2025年底的0.5万片提升至2027年底约5.5万片。

产品迭代×产能扩张，这就是双轮驱动。如果这两个轮子都能转起来，长鑫的成长就不再只是“周期上涨”，而会出现“周期+成长”的双重属性。

业绩爆发，但分歧也在这里

长鑫2023年营收90.87亿元，2024年241.78亿元，2025年617.99亿元。2025年首次盈利，归母净利润18.75亿元。2026年Q1营收508亿元，归母净利润247.62亿元——一个季度赚的比过去十年亏的还多。2026年上半年预计营收1100—1200亿元，归母净利润500—570亿元。

这是爆发式增长，没有争议。争议在于估值。

各家券商预测差异巨大。比如，

东北证券预计2026—2028年归母净利润分别约1485亿、2484亿、3382亿元；

华西证券预计2026—2028年归母净利润1244亿、1821亿、2906亿元，并给出2026年40倍PE、5万亿目标市值。

核心问题是：

2026年的超级利润，到底是“正常利润”还是“周期顶部利润”？

如果是周期顶部，给30—40倍PE确实意味着高估。

但如果AI推动DRAM进入长期结构性增长，今天的高利润也可能只是成长初期。

对比三巨头：截至2026年7月18日，三星市值约1.27万亿美元，预测PE约7倍；海力士约1.08万亿美元，PE约5.5倍；美光约0.95万亿美元，PE约10倍。三巨头正处于十五年一遇的超级景气周期。